Nexperia Type N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 PSMN4R6-60BS,118

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798-2987
Référence fabricant:
PSMN4R6-60BS,118
Fabricant:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

70.8nC

Maximum Power Dissipation Pd

211W

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

11 mm

Length

10.3mm

Standards/Approvals

No

Height

4.5mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
PH

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia


MOSFET Transistors, NXP Semiconductors


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