Nexperia Type N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 PSMN1R7-60BS,118

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798-2921
Référence fabricant:
PSMN1R7-60BS,118
Fabricant:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

137nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

306W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

10.3mm

Width

11 mm

Height

4.5mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
PH

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia


MOSFET Transistors, NXP Semiconductors


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