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STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB60NF06LT4

N° de stock RS:: 795-6944
Référence fabricant:: STB60NF06LT4
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB60NF06LT4

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 795-6944
Référence fabricant:: STB60NF06LT4
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	60A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	TO-263
	Series	STripFET II
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	14mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd	110W
	Minimum Operating Temperature	-65°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	35nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	10.4mm
	Standards/Approvals	No
	Height	4.6mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

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	Marque STMicroelectronics
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 60A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type TO-263
	Series STripFET II
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 14mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd 110W
	Minimum Operating Temperature -65°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 35nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 10.4mm
	Standards/Approvals No
	Height 4.6mm
	Automotive Standard AEC-Q101

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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