Références fabricant

STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 55 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263

N° de stock RS:: 920-8792
Référence fabricant:: STB55NF06LT4
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 55 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*

854,00 €

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1000 +	0,854 €	854,00 €

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N° de stock RS:: 920-8792
Référence fabricant:: STB55NF06LT4
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	55A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	TO-263
	Series	STripFET II
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	20mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	27nC
	Forward Voltage Vf	1.6V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	95W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	4.6mm
	Standards/Approvals	No
	Length	10.75mm
	Automotive Standard	No

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	Marque STMicroelectronics
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 55A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type TO-263
	Series STripFET II
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 20mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 27nC
	Forward Voltage Vf 1.6V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 95W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 4.6mm
	Standards/Approvals No
	Length 10.75mm
	Automotive Standard No

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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