Références fabricant

onsemi NTR2101P Type P-Channel MOSFET, 3.7 A, 8 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 NTR2101PT1G

N° de stock RS:: 790-5274
Référence fabricant:: NTR2101PT1G
Fabricant:: onsemi

onsemi NTR2101P Type P-Channel MOSFET, 3.7 A, 8 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 NTR2101PT1G

Offre groupée disponible

Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 ruban de 50 unités)*

13,90 €

(TVA exclue)

16,80 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

Pénurie d'approvisionnement

50 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Plus 2 600 unité(s) expédiée(s) à partir du 15 octobre 2026

Notre stock actuel est limité et nos fournisseurs s'attendent à des pénuries.

Unité	Prix par unité	le ruban*
50 - 50	0,278 €	13,90 €
100 - 200	0,119 €	5,95 €
250 - 450	0,114 €	5,70 €
500 - 950	0,11 €	5,50 €
1000 +	0,105 €	5,25 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 790-5274
Référence fabricant:: NTR2101PT1G
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	3.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	8V
	Package Type	SOT-23
	Series	NTR2101P
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	120mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	960mW
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	12nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-8V, +8V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.01mm
	Standards/Approvals	No
	Width	1.4mm
	Length	3.04mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 3.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 8V
	Package Type SOT-23
	Series NTR2101P
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 120mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 960mW
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -8V, +8V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.01mm
	Standards/Approvals No
	Width 1.4mm
	Length 3.04mm
	Automotive Standard No

P-Channel Power MOSFET, 8V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.