Vishay SiS892ADN Type N-Channel Power MOSFET, 28 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS892ADN-T1-GE3

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Référence fabricant:
SIS892ADN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

28A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PowerPAK 1212-8

Series

SiS892ADN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.033Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

52W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.1nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.8V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.12mm

Width

3.4 mm

Length

3.4mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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