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Vishay SiS892ADN N-Channel Power MOSFET, 28 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS892ADN-T1-GE3

N° de stock RS:: 165-6981
Référence fabricant:: SIS892ADN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SiS892ADN N-Channel Power MOSFET, 28 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS892ADN-T1-GE3

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 165-6981
Référence fabricant:: SIS892ADN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	28A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	PowerPAK 1212-8
	Series	SiS892ADN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.033Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	0.8V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	6.1nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Maximum Power Dissipation Pd	52W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	3.4mm
	Height	1.12mm
	Width	3.4mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 28A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type PowerPAK 1212-8
	Series SiS892ADN
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.033Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 0.8V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.1nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Maximum Power Dissipation Pd 52W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 3.4mm
	Height 1.12mm
	Width 3.4mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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