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STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel Power MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP310N10F7

N° de stock RS:: 786-3798
Référence fabricant:: STP310N10F7
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel Power MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP310N10F7

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N° de stock RS:: 786-3798
Référence fabricant:: STP310N10F7
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	180A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	STripFET H7
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.7mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	315W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	180nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	15.75mm
	Standards/Approvals	No
	Length	10.4mm
	Automotive Standard	No

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	Marque STMicroelectronics
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 180A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series STripFET H7
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.7mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 315W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 180nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 15.75mm
	Standards/Approvals No
	Length 10.4mm
	Automotive Standard No

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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