STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 45 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- N° de stock RS:
- 168-6982
- Référence fabricant:
- STF100N10F7
- Fabricant:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
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| 100 - 200 | 1,296 € | 64,80 € |
| 250 + | 1,28 € | 64,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 168-6982
- Référence fabricant:
- STF100N10F7
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 45A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | STripFET H7 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 61nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 30W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 16.4mm | |
| Length | 10.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 45A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series STripFET H7 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 61nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 30W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 16.4mm | ||
Length 10.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.