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onsemi Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 300 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-88 NTJD5121NT1G

N° de stock RS:: 780-0627
Référence fabricant:: NTJD5121NT1G
Fabricant:: onsemi

onsemi Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 300 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-88 NTJD5121NT1G

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Référence fabricant:: NTJD5121NT1G
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	300mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SC-88
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.5Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	266mW
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	0.9nC
	Forward Voltage Vf	0.8V
	Transistor Configuration	Isolated
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Standards/Approvals	No
	Length	2.2mm
	Width	1.35 mm
	Height	1mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 300mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SC-88
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.5Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 266mW
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.9nC
	Forward Voltage Vf 0.8V
	Transistor Configuration Isolated
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Standards/Approvals No
	Length 2.2mm
	Width 1.35 mm
	Height 1mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

onsemi Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 300 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-88 NTJD5121NT1G

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