N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 3-Pin TO-220AB Vishay SiHP30N60E-GE3

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N° de stock RS:
768-9348P
Référence fabricant:
SiHP30N60E-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

29 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Package Type

TO-220AB

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

125 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

250 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.65mm

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Length

10.51mm

Typical Gate Charge @ Vgs

85 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Series

E Series

Height

15.49mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

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