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onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET, 2.7 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 FDN359AN

N° de stock RS:: 761-9840
Référence fabricant:: FDN359AN
Fabricant:: onsemi

onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET, 2.7 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 FDN359AN

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N° de stock RS:: 761-9840
Référence fabricant:: FDN359AN
Fabricant:: onsemi

Spécifications

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	2.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	PowerTrench
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	75mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	500mW
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	5nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	2.92mm
	Width	1.4mm
	Height	0.94mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 2.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series PowerTrench
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 75mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 500mW
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 2.92mm
	Width 1.4mm
	Height 0.94mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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