onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET, 2.7 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 FDN359AN
- N° de stock RS:
- 761-9840
- Référence fabricant:
- FDN359AN
- Fabricant:
- onsemi
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- N° de stock RS:
- 761-9840
- Référence fabricant:
- FDN359AN
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | PowerTrench | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 75mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500mW | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 5nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 1.4 mm | |
| Length | 2.92mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 0.94mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series PowerTrench | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 75mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500mW | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 1.4 mm | ||
Length 2.92mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 0.94mm | ||
Automotive Standard No | ||
PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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