Références fabricant

onsemi UniFET Type N-Channel MOSFET, 28 A, 300 V Enhancement, 3-Pin TO-263 FDB28N30TM

N° de stock RS:: 759-8970
Référence fabricant:: FDB28N30TM
Fabricant:: onsemi

onsemi UniFET Type N-Channel MOSFET, 28 A, 300 V Enhancement, 3-Pin TO-263 FDB28N30TM

Offre groupée disponible

Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

5,86 €

(TVA exclue)

7,10 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

En stock

Plus 666 unité(s) expédiée(s) à partir du 28 août 2026

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	le paquet*
2 - 18	2,93 €	5,86 €
20 - 198	2,52 €	5,04 €
200 +	2,19 €	4,38 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 759-8970
Référence fabricant:: FDB28N30TM
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	28A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	300V
	Package Type	TO-263
	Series	UniFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	129mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	39nC
	Maximum Power Dissipation Pd	250W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Forward Voltage Vf	1.4V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	11.33mm
	Height	4.83mm
	Length	10.67mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 28A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 300V
	Package Type TO-263
	Series UniFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 129mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 39nC
	Maximum Power Dissipation Pd 250W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Forward Voltage Vf 1.4V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 11.33mm
	Height 4.83mm
	Length 10.67mm
	Automotive Standard No

UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the Planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.

UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.