Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 34 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB320N20N3GATMA1

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 unité)*

3,28 €

(TVA exclue)

3,97 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • 1 531 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
1 +3,28 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
752-8344
Référence fabricant:
IPB320N20N3GATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

34A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

TO-263

Series

OptiMOS 3

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

32mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

136W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

22nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

4.57mm

Standards/Approvals

No

Width

9.45 mm

Length

10.31mm

Automotive Standard

No

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Liens connexes