onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET, 58 A, 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 FDD8880

Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

6,10 €

(TVA exclue)

7,40 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En voie de retrait du marché
  • 25 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
  • 31 930 unité(s) finale(s) expédiée(s) à partir du 24 avril 2026

Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 451,22 €6,10 €
50 - 951,052 €5,26 €
100 - 4950,912 €4,56 €
500 - 9950,802 €4,01 €
1000 +0,73 €3,65 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
739-0151
Référence fabricant:
FDD8880
Fabricant:
onsemi
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

58A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

PowerTrench

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

15mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

55W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Height

2.39mm

Length

6.73mm

Automotive Standard

No

PowerTrench® N-Channel MOSFET, 20A to 59.9A, Fairchild Semiconductor


MOSFET Transistors, ON Semi


ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Liens connexes