onsemi Type P-Channel MOSFET, 15.5 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 NTD20P06LT4G
- N° de stock RS:
- 688-9124
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-43-742
- Référence fabricant:
- NTD20P06LT4G
- Fabricant:
- onsemi
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
1,72 €
(TVA exclue)
2,08 €
(TVA incluse)
Ajouter 102 unités pour bénéficier d'une livraison gratuite
Pénurie d'approvisionnement
En raison d'un problème d'approvisionnement, le stock est attribué au fur et à mesure de sa disponibilité.
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 0,86 € | 1,72 € |
| 20 - 198 | 0,74 € | 1,48 € |
| 200 - 998 | 0,64 € | 1,28 € |
| 1000 + | 0,565 € | 1,13 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 688-9124
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-43-742
- Référence fabricant:
- NTD20P06LT4G
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 15.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 150mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 65W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.73mm | |
| Height | 2.38mm | |
| Width | 6.22 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 15.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 150mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 65W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.73mm | ||
Height 2.38mm | ||
Width 6.22 mm | ||
Automotive Standard No | ||
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Liens connexes
- onsemi Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- onsemi QFET Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- onsemi NTD2955 Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- onsemi QFET Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- onsemi QFET Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 FQD11P06TM
- onsemi QFET Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 FQD17P06TM
- onsemi NTD2955 Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 NTD2955T4G
- onsemi Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252