STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 5.2 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP7NK80Z
- N° de stock RS:
- 687-5346
- Référence fabricant:
- STP7NK80Z
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
11,14 €
(TVA exclue)
13,48 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 1 890 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 + | 2,228 € | 11,14 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 687-5346
- Référence fabricant:
- STP7NK80Z
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.8Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 40nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.4mm | |
| Width | 4.6 mm | |
| Height | 9.15mm | |
| Distrelec Product Id | 304-35-976 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.8Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 40nC | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.4mm | ||
Width 4.6 mm | ||
Height 9.15mm | ||
Distrelec Product Id 304-35-976 | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Liens connexes
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB7NK80ZT4
- STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel Power MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP
- STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel Power MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP STP7NK80ZFP
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
