Références fabricant

onsemi Single PowerTrench 1 N-Channel MOSFET, 600 mA, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-523 FDY300NZ

N° de stock RS:: 671-0845
Référence fabricant:: FDY300NZ
Fabricant:: onsemi

onsemi Single PowerTrench 1 N-Channel MOSFET, 600 mA, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-523 FDY300NZ

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 671-0845
Référence fabricant:: FDY300NZ
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Transistor Configuration	Single
	Series	PowerTrench
	Number of Elements per Chip	1
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id)	600 mA
	Maximum Drain Source Voltage (Vds)	20 V
	Channel Mode	Enhancement
	Pin Count	3
	Package Type	SOT-523 (SC-89)
	Height	780 μm
	Length	1.7 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds)	240 mΩ
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs)	12 V, -12 V
	Maximum Operating Temperature	150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd)	625 mW
	Minimum Operating Temperature	-55 °C
	Mount Type	Surface
	Width	980 μm

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	Marque onsemi
	Transistor Configuration Single
	Series PowerTrench
	Number of Elements per Chip 1
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id) 600 mA
	Maximum Drain Source Voltage (Vds) 20 V
	Channel Mode Enhancement
	Pin Count 3
	Package Type SOT-523 (SC-89)
	Height 780 μm
	Length 1.7 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds) 240 mΩ
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs) 12 V, -12 V
	Maximum Operating Temperature 150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd) 625 mW
	Minimum Operating Temperature -55 °C
	Mount Type Surface
	Width 980 μm

PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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