Vishay IRFI Type P-Channel MOSFET, 2 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- N° de stock RS:
- 543-2193
- Référence fabricant:
- IRFI9610GPBF
- Fabricant:
- Vishay
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,386 € | 11,93 € |
| 50 - 245 | 2,242 € | 11,21 € |
| 250 - 495 | 2,03 € | 10,15 € |
| 500 - 1245 | 1,908 € | 9,54 € |
| 1250 + | 1,79 € | 8,95 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 543-2193
- Référence fabricant:
- IRFI9610GPBF
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | IRFI | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 27W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 13nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | -5.8V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 4.83 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 9.8mm | |
| Length | 10.63mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series IRFI | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 27W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf -5.8V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 4.83 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 9.8mm | ||
Length 10.63mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay third generation power MOSFETs provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial applications. The moulding compound used provides a high isolation capability and a low thermal resistance between the tab and external heatsink.
Dynamic dV/dt rating
Low thermal resistance
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