Infineon LogicFET Type N-Channel MOSFET, 17 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRL530NPBF

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541-1203
Référence fabricant:
IRL530NPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

17A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

LogicFET

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

100mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

79W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

10.54mm

Width

4.69 mm

Height

8.77mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon


The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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