STMicroelectronics FDmesh Type N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP20NM60FD
- N° de stock RS:
- 486-2228
- Référence fabricant:
- STP20NM60FD
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Offre groupée disponible
Sous-total (1 unité)*
5,27 €
(TVA exclue)
6,38 €
(TVA incluse)
Ajouter 17 unités pour bénéficier d'une livraison gratuite
En stock
- 12 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
- Plus 184 unité(s) expédiée(s) à partir du 02 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 5,27 € |
| 10 - 99 | 4,46 € |
| 100 - 499 | 3,59 € |
| 500 - 999 | 3,19 € |
| 1000 + | 2,69 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 486-2228
- Référence fabricant:
- STP20NM60FD
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | FDmesh | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 290mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 192W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -65°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 37nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 9.15mm | |
| Width | 4.6 mm | |
| Length | 10.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series FDmesh | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 290mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 192W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Minimum Operating Temperature -65°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 37nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 9.15mm | ||
Width 4.6 mm | ||
Length 10.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Liens connexes
- STMicroelectronics FDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics FDmesh Type N-Channel Power MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics FDmesh Type N-Channel Power MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP11NM60ND
- STMicroelectronics FDmesh Type N-Channel FDmesh II Power MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP
- STMicroelectronics FDmesh Type N-Channel FDmesh II Power MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP STF11NM60ND
- STMicroelectronics FDmesh N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-220 STP13NM60ND
- STMicroelectronics FDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics FDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW20NM60FD