STMicroelectronics FDmesh N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD13NM60ND

Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
N° de stock RS:
165-6595
Référence fabricant:
STD13NM60ND
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

11A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

FDmesh

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

380mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.6V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-25V, +25V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

24.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

109W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.6mm

Height

2.4mm

Standards/Approvals

No

Width

6.2mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics


MOSFET Transistors, STMicroelectronics


Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.