STMicroelectronics Isolated STripFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 4 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC STS4DNF60L

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485-8358
Référence fabricant:
STS4DNF60L
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

STripFET

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

55mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Minimum Operating Temperature

150°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

15 V

Maximum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Isolated

Length

5mm

Height

1.25mm

Width

4 mm

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

N-Channel STripFET™ Dual MOSFET, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics


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