STMicroelectronics STP80N Type N-Channel MOSFET, 5 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP80N1K1K6

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287-7046
Référence fabricant:
STP80N1K1K6
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-220

Series

STP80N

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

62W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.7nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics Power MOSFET is designed using the ultimate MDmesh K6 technology based on 20 years STMicroelectronics experience on super junction technology. The result is the best in class on resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

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