STMicroelectronics STP80N Type N-Channel MOSFET, 5 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP80N1K1K6
- N° de stock RS:
- 287-7046
- Référence fabricant:
- STP80N1K1K6
- Fabricant:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,38 € | 69,00 € |
| 100 - 100 | 1,242 € | 62,10 € |
| 150 + | 1,118 € | 55,90 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 287-7046
- Référence fabricant:
- STP80N1K1K6
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | STP80N | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 62W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 5.7nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series STP80N | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 62W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.7nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The STMicroelectronics Power MOSFET is designed using the ultimate MDmesh K6 technology based on 20 years STMicroelectronics experience on super junction technology. The result is the best in class on resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
Worldwide best FOM
Ultra low gate charge
100 percent avalanche tested