Vishay IRFZ48R Type N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRFZ48RPBF
- N° de stock RS:
- 281-6036
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-42-108
- Référence fabricant:
- IRFZ48RPBF
- Fabricant:
- Vishay
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 3,176 € | 15,88 € |
| 50 - 95 | 2,78 € | 13,90 € |
| 100 - 245 | 2,482 € | 12,41 € |
| 250 - 495 | 2,34 € | 11,70 € |
| 500 + | 2,182 € | 10,91 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 281-6036
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-42-108
- Référence fabricant:
- IRFZ48RPBF
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 50A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-220AB | |
| Series | IRFZ48R | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.018Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 110nC | |
| Forward Voltage Vf | 2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 190W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 50A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-220AB | ||
Series IRFZ48R | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.018Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 110nC | ||
Forward Voltage Vf 2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 190W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. It is an efficient and reliable device for various applications due to their fast switching speed and ruggedized design.
Advanced process technology
Ultra low on-resistance
Dynamic dV/dt rating
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