Vishay SIS9446DN 2 Type N-Channel MOSFET, 34 A, 40 V Enhancement, 8-Pin 1212-8 SIS9446DN-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 279-9976
- Référence fabricant:
- SIS9446DN-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
1 560,00 €
(TVA exclue)
1 890,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 3 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 12 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,52 € | 1 560,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 279-9976
- Référence fabricant:
- SIS9446DN-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 34A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | 1212-8 | |
| Series | SIS9446DN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 40 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | 100 percent Rg and UIS tested, AEC-Q101, RoHS | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 34A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type 1212-8 | ||
Series SIS9446DN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 40 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals 100 percent Rg and UIS tested, AEC-Q101, RoHS | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay MOSFET is a Dual N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.
TrenchFET power MOSFET
100 percent Rg and UIS tested
Reduces switching related power loss
Fully lead (Pb)-free device
Liens connexes
- Vishay SIS9446DN 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin 1212-8 SIS9446DN-T1-GE3
- Vishay SISS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin 1212-8 SISS4410DN-T1-GE3
- Vishay SIS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin 1212-8 SIS4634LDN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISA04DN-T1-GE3
- Vishay SISS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS4402DN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SI7116BDN-T1-GE3
- Vishay SIS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS184LDN-T1-GE3
- Vishay SISH Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin 1212-8 SISH107DN-T1-GE3
