Vishay SIJ Type N-Channel MOSFET, 59 A, 100 V Enhancement, 7-Pin SO-8L SIJ4106DP-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 279-9931
- Référence fabricant:
- SIJ4106DP-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 4 unités)*
8,98 €
(TVA exclue)
10,864 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 6 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 03 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 4 - 56 | 2,245 € | 8,98 € |
| 60 - 96 | 1,68 € | 6,72 € |
| 100 - 236 | 1,498 € | 5,99 € |
| 240 - 996 | 1,468 € | 5,87 € |
| 1000 + | 1,443 € | 5,77 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 279-9931
- Référence fabricant:
- SIJ4106DP-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 59A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | SO-8L | |
| Series | SIJ | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0083Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 69.4W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 48nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 5.13mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 59A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type SO-8L | ||
Series SIJ | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0083Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 69.4W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 48nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 5.13mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.
TrenchFET power MOSFET
Fully lead (Pb)-free device
Very low RDS x Qg figure of merit
100 percent Rg and UIS tested
Liens connexes
- Vishay SIJ Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin SO-8L
- Vishay SIJ Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin SO-8L SIJ4108DP-T1-GE3
- Vishay SIJ Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 7-Pin SO-8L SIJ4819DP-T1-GE3
- Vishay SiJA Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L SiJA54ADP-T1-GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 80 V PowerPAK SO-8L SIJ482DP-T1-GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 80 V PowerPAK SO-8L
- Vishay Type P-Channel MOSFET -30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI4155DY-T1-GE3
- Vishay Type P-Channel MOSFET -30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI4151DY-T1-GE3