Infineon IPW Type N-Channel MOSFET, 21 A, 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247 IPW65R115CFD7AXKSA1
- N° de stock RS:
- 273-3027
- Référence fabricant:
- IPW65R115CFD7AXKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 tube de 30 unités)*
109,08 €
(TVA exclue)
132,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 150 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 3,636 € | 109,08 € |
| 60 + | 3,356 € | 100,68 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 273-3027
- Référence fabricant:
- IPW65R115CFD7AXKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 21A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | IPW | |
| Package Type | PG-TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 115mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 114W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 41nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | AECQ101, RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 21A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series IPW | ||
Package Type PG-TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 115mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 114W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 41nC | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals AECQ101, RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon automotive SJ power MOSFET is in TO-247 package is part of the automotive qualified 650V cool MOS SJ power MOSFET CFD7A product family.
Enabling of higher power density designs
Scalable as designed for use in PFC and DC-DC stage
Granular portfolio available
Liens connexes
- Infineon IPW Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IPW Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IPW MOSFET 650 V PG-TO-247
- Infineon IPW Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247 IPW65R099CFD7AXKSA1
- Infineon IPW MOSFET 650 V PG-TO-247 IPW65R050CFD7AXKSA1
- Infineon IPW MOSFET 650 V, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IPW MOSFET 650 V, 3-Pin PG-TO-247 IPW60R105CFD7XKSA1
- Infineon IPW Type N-Channel MOSFET 650 V, 3-Pin PG-TO-247