Infineon IPW MOSFET, 211 A, 650 V PG-TO-247
- N° de stock RS:
- 258-3916
- Référence fabricant:
- IPW65R050CFD7AXKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 tube de 30 unités)*
117,51 €
(TVA exclue)
142,20 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 210 unité(s) expédiée(s) à partir du 29 décembre 2025
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 3,917 € | 117,51 € |
| 60 - 60 | 3,721 € | 111,63 € |
| 90 + | 3,564 € | 106,92 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 258-3916
- Référence fabricant:
- IPW65R050CFD7AXKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 211A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | PG-TO-247 | |
| Series | IPW | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 35mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 211A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type PG-TO-247 | ||
Series IPW | ||
Mount Type Through Hole | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 35mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolMOS N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A in TO-247 package is part of the automotive-qualified 650V CoolMOS SJ power MOSFET CFD7A product family. As compared to the previous generation, CoolMOS CFD7A offers higher reliability and power density while increasing design flexibility.
Efficiency improvements in hard- and soft-switching topologies up to 98.4%
Intrinsic fast body diode with 30% lower Qrr compared to CoolMOS CFDA
Scalable as designed for use in PFC and DC-DC stage
Granular portfolio available
Liens connexes
- Infineon MOSFET 650 V PG-TO247-3 IPW65R050CFD7AXKSA1
- Infineon MOSFET 650 V PG-TO263 IPBE65R050CFD7AATMA1
- Infineon IMW65 SiC N-Channel MOSFET 650 V, 3-Pin PG-TO247-3 IMW65R060M2HXKSA1
- Infineon IMW65 SiC N-Channel MOSFET 650 V, 3-Pin PG-TO247-3 IMW65R026M2HXKSA1
- Infineon IMW65 SiC N-Channel MOSFET 650 V, 3-Pin PG-TO247-3 IMW65R033M2HXKSA1
- Infineon IMW65 SiC N-Channel MOSFET 650 V, 3-Pin PG-TO247-3 IMW65R010M2HXKSA1
- Infineon IMW SiC N-Channel MOSFET 650 V, 4-Pin PG-TO247-3 IMW65R050M2HXKSA1
- Infineon IMW SiC N-Channel MOSFET 650 V, 4-Pin PG-TO247-3 IMW65R040M2HXKSA1
