Vishay SiJA Type N-Channel MOSFET, 126 A, 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L SiJA54ADP-T1-GE3

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N° de stock RS:
268-8322
Référence fabricant:
SiJA54ADP-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

126A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

PowerPAK SO-8L

Series

SiJA

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0023Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7nC

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5.13mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Vishay N channel TrenchFET generation 4 power MOSFET is lead Pb and halogen free device. It has flexible leads which provide resilience to mechanical stress. It is used an application as synchronous rectification, dc or ac inverters.

Optimizes switching characteristics

ROHS compliant

UIS tested 100 percent

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