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Vishay SiJA Type N-Channel MOSFET, 126 A, 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L SiJA54ADP-T1-GE3

N° de stock RS:: 268-8322
Référence fabricant:: SiJA54ADP-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SiJA Type N-Channel MOSFET, 126 A, 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L SiJA54ADP-T1-GE3

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 908,00 €

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2 310,00 €

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3000 +	0,636 €	1 908,00 €

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N° de stock RS:: 268-8322
Référence fabricant:: SiJA54ADP-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	126A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	PowerPAK SO-8L
	Series	SiJA
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0023Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	7nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	65.7W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	5.13mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 126A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type PowerPAK SO-8L
	Series SiJA
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0023Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 65.7W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 5.13mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - SiJA54ADP-T1-GE3

Pays d'origine :: CN

The Vishay N channel TrenchFET generation 4 power MOSFET is lead Pb and halogen free device. It has flexible leads which provide resilience to mechanical stress. It is used an application as synchronous rectification, dc or ac inverters.

Optimizes switching characteristics

ROHS compliant

UIS tested 100 percent

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