Vishay Type N-Channel MOSFET, 25 A, 30 V PowerPAK SO-8 SIRA12DP-T1-GE3

Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

6,54 €

(TVA exclue)

7,915 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 2 985 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 451,308 €6,54 €
50 - 951,172 €5,86 €
100 - 2450,914 €4,57 €
250 - 9950,90 €4,50 €
1000 +0,692 €3,46 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
256-7431
Référence fabricant:
SIRA12DP-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

25A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK SO-8

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0095Ω

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay Semiconductor N-channel 30 V 25A (Tc) 4.5W (Ta), 31W (Tc) surface mount iTime is halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition and its applications are high power density DC, DC, synchronous rectification, VRMs and embedded DC, DC.

TrenchFET gen IV power mosfet

100 % Rg and UIS tested

Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.