Vishay Type N-Channel MOSFET, 25 A, 30 V PowerPAK SO-8 SIRA12DP-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 256-7431
- Référence fabricant:
- SIRA12DP-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
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|---|---|---|
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| 50 - 95 | 0,542 € | 2,71 € |
| 100 - 245 | 0,422 € | 2,11 € |
| 250 - 995 | 0,416 € | 2,08 € |
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- N° de stock RS:
- 256-7431
- Référence fabricant:
- SIRA12DP-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 25A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | PowerPAK SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0095Ω | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 25A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type PowerPAK SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0095Ω | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay Semiconductor N-channel 30 V 25A (Tc) 4.5W (Ta), 31W (Tc) surface mount iTime is halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition and its applications are high power density DC, DC, synchronous rectification, VRMs and embedded DC, DC.
TrenchFET gen IV power mosfet
100 % Rg and UIS tested
Compliant to RoHS directive 2002/95/EC
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