ROHM RD3R05BBH Type N-Channel MOSFET, 50 A, 6 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3R05BBHTL1
- N° de stock RS:
- 266-3854
- Référence fabricant:
- RD3R05BBHTL1
- Fabricant:
- ROHM
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
6,39 €
(TVA exclue)
7,732 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 2 300 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 3,195 € | 6,39 € |
| 50 - 98 | 2,875 € | 5,75 € |
| 100 - 248 | 2,365 € | 4,73 € |
| 250 - 998 | 2,32 € | 4,64 € |
| 1000 + | 1,88 € | 3,76 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 266-3854
- Référence fabricant:
- RD3R05BBHTL1
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 50A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 6V | |
| Series | RD3R05BBH | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 29mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 89W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 37nC | |
| Forward Voltage Vf | 150V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 50A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 6V | ||
Series RD3R05BBH | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 29mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 89W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 37nC | ||
Forward Voltage Vf 150V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for switching.
Pb free plating
RoHS compliant
Halogen free
Liens connexes
- ROHM RD3R05BBH Type N-Channel MOSFET 6 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- ROHM RD3P07BBH Type N-Channel MOSFET 6 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- ROHM RD3P03BBH Type N-Channel MOSFET 6 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- ROHM RD3R02BBH Type N-Channel MOSFET 6 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- ROHM RD3G500GN Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- ROHM RD3P03BBH Type N-Channel MOSFET 6 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3P03BBHTL1
- ROHM RD3R02BBH Type N-Channel MOSFET 6 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3R02BBHTL1
- ROHM RD3P07BBH Type N-Channel MOSFET 6 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3P07BBHTL1
