Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 191 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB014N04NF2SATMA1
- N° de stock RS:
- 262-5850
- Référence fabricant:
- IPB014N04NF2SATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
11,10 €
(TVA exclue)
13,45 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 790 unité(s) expédiée(s) à partir du 19 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,22 € | 11,10 € |
| 50 - 120 | 2,00 € | 10,00 € |
| 125 - 245 | 1,864 € | 9,32 € |
| 250 - 495 | 1,732 € | 8,66 € |
| 500 + | 1,596 € | 7,98 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 262-5850
- Référence fabricant:
- IPB014N04NF2SATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 191A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | iPB | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.15mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 191A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series iPB | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.15mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon N channel power transistor is optimized for wide range of applications and it is 100 percent avalanche tested.
Pb-free lead plating
RoHS compliant
Halogen free according to IEC61249-2-21
Liens connexes
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 90 A Enhancement TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 120 A Enhancement TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 180 A Enhancement TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 120 A Enhancement TO-263 IPB120N06S403ATMA2
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 90 A Enhancement TO-263 IPB90N06S404ATMA2
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 180 A Enhancement TO-263 IPB180N10S402ATMA1
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 180 A Enhancement TO-263 IPB180N06S4H1ATMA2