Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 197 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB012N04NF2SATMA1

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

5,52 €

(TVA exclue)

6,68 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 800 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
2 - 182,76 €5,52 €
20 - 482,29 €4,58 €
50 - 982,155 €4,31 €
100 - 1981,985 €3,97 €
200 +1,85 €3,70 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
262-5845
Référence fabricant:
IPB012N04NF2SATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

197A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

iPB

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.15mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon N channel power transistor is optimized for wide range of applications and it is 100 percent avalanche tested.

Pb-free lead plating

RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249-2-21

Liens connexes