Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 197 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB012N04NF2SATMA1

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N° de stock RS:
262-5845
Référence fabricant:
IPB012N04NF2SATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

197A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-263

Series

iPB

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.15mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon N channel power transistor is optimized for wide range of applications and it is 100 percent avalanche tested.

Pb-free lead plating

RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249-2-21

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