Références fabricant

Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 201 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263

N° de stock RS:: 262-5842
Référence fabricant:: IPB011N04NF2SATMA1
Fabricant:: Infineon

Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 201 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Sous-total (1 bobine de 800 unités)*

986,40 €

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N° de stock RS:: 262-5842
Référence fabricant:: IPB011N04NF2SATMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	201A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	iPB
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.15mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 201A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series iPB
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.15mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IPB011N04NF2SATMA1

The Infineon N channel power transistor is optimized for wide range of applications and it is 100 percent avalanche tested.

Pb-free lead plating

RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249-2-21

Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 201 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263

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