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Infineon IPN MOSFET, 7.6 A, 3-Pin PG-SOT223 IPN50R800CEATMA1

N° de stock RS:: 260-5153
Référence fabricant:: IPN50R800CEATMA1
Fabricant:: Infineon

Infineon IPN MOSFET, 7.6 A, 3-Pin PG-SOT223 IPN50R800CEATMA1

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10 - 90	0,478 €	4,78 €
100 - 240	0,455 €	4,55 €
250 - 490	0,446 €	4,46 €
500 - 990	0,416 €	4,16 €
1000 +	0,335 €	3,35 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 260-5153
Référence fabricant:: IPN50R800CEATMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	7.6A
	Package Type	PG-SOT223
	Series	IPN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.8Ω
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	1.52mm
	Width	3.3 mm
	Length	6.3mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 7.6A
	Package Type PG-SOT223
	Series IPN
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.8Ω
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 1.52mm
	Width 3.3 mm
	Length 6.3mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPN50R800CEATMA1

The Infineon CoolMOS CE is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction(SJ) principle and pioneered.

Very high commutation ruggedness

Easy to use or drive

Infineon IPN MOSFET, 7.6 A, 3-Pin PG-SOT223 IPN50R800CEATMA1

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