Infineon IQE Type N-Channel MOSFET, 310 A, 25 V Enhancement, 8-Pin WHSON IQE006NE2LM5SCATMA1
- N° de stock RS:
- 260-1075
- Référence fabricant:
- IQE006NE2LM5SCATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
5,16 €
(TVA exclue)
6,24 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 5 984 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,58 € | 5,16 € |
| 20 - 48 | 2,29 € | 4,58 € |
| 50 - 98 | 2,17 € | 4,34 € |
| 100 - 198 | 2,015 € | 4,03 € |
| 200 + | 1,86 € | 3,72 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 260-1075
- Référence fabricant:
- IQE006NE2LM5SCATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 310A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 25V | |
| Series | IQE | |
| Package Type | WHSON | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 310A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 25V | ||
Series IQE | ||
Package Type WHSON | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFETs allows the source potential to be connected to the PCB over the thermal pad which offers several advantages, such as increased thermal capability, advanced power density or improved layout possibilities. It also have the reduced active cooling requirements and the effective layout for thermal management which are benefits at the system level.
Improved PCB losses
Enabling highest power density and performance
Superior thermal performance
Optimized layout possibilities
Liens connexes
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin WHSON
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 24-Pin TSDSO
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 24-Pin TSDSO IQE006NE2LM5CGSCATMA1
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin WHSON
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin WHSON IQE013N04LM6SCATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin PG-WHSON-8 IQDH29NE2LM5SCATMA1
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 9-Pin WHTFN
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 9-Pin WHTFN IQE013N04LM6CGSCATMA1
