Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 789 A, 25 V Enhancement, 8-Pin PG-WHSON-8 IQDH29NE2LM5SCATMA1
- N° de stock RS:
- 348-884
- Référence fabricant:
- IQDH29NE2LM5SCATMA1
- Fabricant:
- Infineon
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|---|---|---|
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- N° de stock RS:
- 348-884
- Référence fabricant:
- IQDH29NE2LM5SCATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 789A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 25V | |
| Series | OptiMOS 5 | |
| Package Type | PG-WHSON-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.29mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 278W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 789A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 25V | ||
Series OptiMOS 5 | ||
Package Type PG-WHSON-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.29mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 278W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- AT
The Infineon Power MOSFET comes with industry’s lowest RDS(ON) of 0.29 mOhm combined with outstanding thermal performance for easy power loss management.
Minimized conduction losses
Fast switching
Reduced voltage overshoot
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