Infineon BSC Dual N-Channel MOSFET, 18 A, 25 V N, 8-Pin PG-TISON-8 BSC0911NDATMA1

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

7,02 €

(TVA exclue)

8,495 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 5 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 451,404 €7,02 €
50 - 1201,248 €6,24 €
125 - 2450,984 €4,92 €
250 - 4950,772 €3,86 €
500 +0,74 €3,70 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
259-1475
Référence fabricant:
BSC0911NDATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Dual N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

18A

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Package Type

PG-TISON-8

Series

BSC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.8mΩ

Channel Mode

N

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon optimos 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, Datacom and telecom applications. Available in half bridge configuration (power stage 5x6). Improved EMI behaviour making external snubber networks obsolete.

Ultra low gate and output charge

Lowest on-state resistance in small footprint packages

Easy to design

Liens connexes