Infineon BSC0925NDATMA1, Type N-Channel Dual IGBT, 40 A, 8-Pin PG-TISON-8, Through Hole

Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*

1 770,00 €

(TVA exclue)

2 140,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 07 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
5000 +0,354 €1 770,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
273-5237
Référence fabricant:
BSC0925NDATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

40A

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation Pd

30W

Configuration

Dual

Package Type

PG-TISON-8

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

8

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

6.1 mm

Length

5.1mm

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21

Height

1.15mm

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET is a dual N channel MOSFET. It is an optimized for high performance buck converter. This MOSFET is qualified according to JEDEC for target applications. This MOSFET is halogen free according to IEC61249 2 21 standard.

RoHS compliant

Pb free lead plating

Very low on resistance

Optimized for clean switching

100 percent avalanche tested

Liens connexes