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Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 182 A, 200 V, 3-Pin TO-247AC IRF200P222

N° de stock RS:: 258-3959
Référence fabricant:: IRF200P222
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 182 A, 200 V, 3-Pin TO-247AC IRF200P222

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 258-3959
Référence fabricant:: IRF200P222
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Series	HEXFET
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id)	182 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds)	200 V
	Pin Count	3
	Package Type	TO-247AC
	Automotive Standard	No
	Forward Voltage (Vf)	1.2 V
	Maximum Drain Source Resistance (Rds)	6.6 mΩ
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs)	20 V
	Maximum Operating Temperature	175 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd)	556 W
	Minimum Operating Temperature	-55 °C
	Mount Type	Surface, Through Hole
	Standards/Approvals	RoHS
	Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs	135 nC

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	Marque Infineon
	Series HEXFET
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id) 182 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds) 200 V
	Pin Count 3
	Package Type TO-247AC
	Automotive Standard No
	Forward Voltage (Vf) 1.2 V
	Maximum Drain Source Resistance (Rds) 6.6 mΩ
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs) 20 V
	Maximum Operating Temperature 175 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd) 556 W
	Minimum Operating Temperature -55 °C
	Mount Type Surface, Through Hole
	Standards/Approvals RoHS
	Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs 135 nC

Datasheet - IRF200P222

The Infineon MOSFET StrongIRFET is improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness, it is fully characterized capacitance and avalanche SOA.

Enhanced body diode dv/dt and di/dt capability

Lead-free, RoHS compliant

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