Infineon IPP Type N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V, 3-Pin TO-220 IPP65R095C7XKSA1
- N° de stock RS:
- 258-3899
- Référence fabricant:
- IPP65R095C7XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 unité)*
1,96 €
(TVA exclue)
2,37 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 20 unité(s) expédiée(s) à partir du 26 janvier 2026
- Plus 2 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 23 février 2026
- Plus 500 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,96 € |
| 10 - 24 | 1,86 € |
| 25 - 49 | 1,78 € |
| 50 - 99 | 1,70 € |
| 100 + | 1,59 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 258-3899
- Référence fabricant:
- IPP65R095C7XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 24A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | IPP | |
| Package Type | TO-220 | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 95mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 45nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 128W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 24A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series IPP | ||
Package Type TO-220 | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 95mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 45nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 128W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolMOS is are volutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The product portfolio provides all benefits offset switching super junction MOSFETs offering better efficiency, reduced gate charge, easy implementation and outstanding reliability.
Lower gate charge Qg
Space saving through use of smaller packages or reduction of parts
Lowest conduction losses/package
Low switching losses
Better light load efficiency
Liens connexes
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 650 V, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 650 V TO-220
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 650 V TO-220 IPP65R041CFD7XKSA1
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET, 84 A TO-220
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET, 84 A TO-220 IPP120N20NFDAKSA1
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 500 V TO-220
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 60 V TO-220
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 60 V TO-220 IPP040N06NAKSA1