Infineon IPP N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V, 3-Pin TO-220 IPP65R095C7XKSA1

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258-3899
Référence fabricant:
IPP65R095C7XKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

24A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

IPP

Package Type

TO-220

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

95mΩ

Forward Voltage Vf

0.9V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

45nC

Maximum Power Dissipation Pd

128W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon CoolMOS is are volutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The product portfolio provides all benefits offset switching super junction MOSFETs offering better efficiency, reduced gate charge, easy implementation and outstanding reliability.

Lower gate charge Qg

Space saving through use of smaller packages or reduction of parts

Lowest conduction losses/package

Low switching losses

Better light load efficiency

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