Infineon IPP Type N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V, 3-Pin TO-220 IPP65R095C7XKSA1
- N° de stock RS:
- 258-3899
- Référence fabricant:
- IPP65R095C7XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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| 10 - 24 | 2,39 € |
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| 50 - 99 | 2,26 € |
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- N° de stock RS:
- 258-3899
- Référence fabricant:
- IPP65R095C7XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 24A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | IPP | |
| Package Type | TO-220 | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 95mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 128W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 45nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 24A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series IPP | ||
Package Type TO-220 | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 95mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 128W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 45nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolMOS is are volutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The product portfolio provides all benefits offset switching super junction MOSFETs offering better efficiency, reduced gate charge, easy implementation and outstanding reliability.
Lower gate charge Qg
Space saving through use of smaller packages or reduction of parts
Lowest conduction losses/package
Low switching losses
Better light load efficiency
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