Infineon IPP Type N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V, 3-Pin TO-220 IPP65R095C7XKSA1
- N° de stock RS:
- 258-3899
- Référence fabricant:
- IPP65R095C7XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 unité)*
1,96 €
(TVA exclue)
2,37 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 20 unité(s) expédiée(s) à partir du 31 décembre 2025
- Plus 2 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 février 2026
- Plus 500 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,96 € |
| 10 - 24 | 1,86 € |
| 25 - 49 | 1,78 € |
| 50 - 99 | 1,70 € |
| 100 + | 1,59 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 258-3899
- Référence fabricant:
- IPP65R095C7XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 24A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | IPP | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 95mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 128W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 45nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 24A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series IPP | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 95mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 128W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 45nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolMOS is are volutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The product portfolio provides all benefits offset switching super junction MOSFETs offering better efficiency, reduced gate charge, easy implementation and outstanding reliability.
Lower gate charge Qg
Space saving through use of smaller packages or reduction of parts
Lowest conduction losses/package
Low switching losses
Better light load efficiency
Liens connexes
- Infineon MOSFET 700 V PG-TO 220 IPP65R095C7XKSA1
- Infineon MOSFET 700 V PG-TO 220 IPP65R190CFDXKSA2
- Infineon MOSFET 800 V PG-TO 220 IPA80R650CEXKSA2
- Infineon MOSFET 700 V PG-TO 247 IPW65R041CFD7XKSA1
- Infineon MOSFET Transistor, 18 A PG-TO 220 IPP65R125C7XKSA1
- Infineon MOSFET 700 V PG-TO 263-3 IPB65R150CFDATMA2
- Infineon MOSFET Transistor, 10.1 A PG-TO 220 FullPAK IPA65R650CEXKSA1
- Infineon MOSFET Transistor, 14.7 A PG-TO 220 FullPAK IPA60R400CEXKSA1
