Infineon IPP Type N-Channel MOSFET, 73 A, 100 V, 3-Pin TO-220 IPP083N10N5AKSA1
- N° de stock RS:
- 258-3893
- Référence fabricant:
- IPP083N10N5AKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
3,34 €
(TVA exclue)
4,04 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Stock limité
- 2 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,67 € | 3,34 € |
| 20 - 48 | 1,51 € | 3,02 € |
| 50 - 98 | 1,40 € | 2,80 € |
| 100 - 198 | 1,31 € | 2,62 € |
| 200 + | 1,20 € | 2,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 258-3893
- Référence fabricant:
- IPP083N10N5AKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 73A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | IPP | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 8.3mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 100W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 73A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series IPP | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 8.3mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 100W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS 5 industrial power MOSFET devices in 80 V and 100 V are designed for synchronous rectification in telecom and server power supply application, but also the ideal choice for other applications such as solar, low voltage drives and laptop adapter.
Ideal for high switching frequency
Output capacitance reduction of up to 44%
Less paralleling required
Increased power density
Low voltage overshoot
Liens connexes
- Infineon N-Channel MOSFET 100 V PG-TO220-3 IPP083N10N5AKSA1
- Infineon N-Channel MOSFET Transistor 3-Pin PG-TO220 IPP034NE7N3GXKSA1
- Infineon N-Channel MOSFET 100 V PG-TO220-FP IPA083N10N5XKSA1
- Infineon N-Channel MOSFET Transistor, 84 A PG-TO220-3 IPP120N20NFDAKSA1
- Infineon N-Channel MOSFET Transistor 3-Pin PG-TO220 IPP086N10N3GXKSA1
- Infineon N-Channel MOSFET Transistor 3-Pin PG-TO220 IPP120N10S405AKSA1
- Infineon N-Channel MOSFET Transistor 3-Pin PG-TO220 IPP052NE7N3GXKSA1
- Infineon N-Channel MOSFET 60 V PG-TO220-3 IPP040N06NAKSA1
