Infineon IPL MOSFET, 14 A, 650 V TDSON IPLK60R600PFD7ATMA1
- N° de stock RS:
- 258-3889
- Référence fabricant:
- IPLK60R600PFD7ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,22 € | 2,44 € |
| 20 - 48 | 1,085 € | 2,17 € |
| 50 - 98 | 1,01 € | 2,02 € |
| 100 - 198 | 0,935 € | 1,87 € |
| 200 + | 0,88 € | 1,76 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 258-3889
- Référence fabricant:
- IPLK60R600PFD7ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 14A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TDSON | |
| Series | IPL | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.9mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 14A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TDSON | ||
Series IPL | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.9mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 600V CoolMOS PFD7 super junction MOSFET complements the CoolMOS 7 offering for consumer applications. The super junction MOSFET in a ThinPAK 5x6 package features RDS(on) of 600mOhm leading to low switching losses. This package is characterized by a very small footprint of 5x6mm² and a very low profile with a height of 1mm. Together with its benchmark low parasitic, these features lead to significantly smaller form factors and help to boost power density. The CoolMOS PFD7 products come with a fast body diode ensuring a robust device and in turn reduced bill-of-material for the customer.
Very low FOM RDS(on) x Eoss
Integrated robust fast body diode
Up to 2kV ESD protection
Wide range of RDS(on) values
Minimized switching losses
Power density improvement compared to latest CoolMOS charger technology
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