Infineon IPL Type N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V N TDSON IPLK60R360PFD7ATMA1
- N° de stock RS:
- 258-3887
- Référence fabricant:
- IPLK60R360PFD7ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
3,43 €
(TVA exclue)
4,15 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 4 638 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,715 € | 3,43 € |
| 20 - 48 | 1,445 € | 2,89 € |
| 50 - 98 | 1,34 € | 2,68 € |
| 100 - 198 | 1,25 € | 2,50 € |
| 200 + | 1,17 € | 2,34 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 258-3887
- Référence fabricant:
- IPLK60R360PFD7ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 24A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | IPL | |
| Package Type | TDSON | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.9mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 24A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series IPL | ||
Package Type TDSON | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.9mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 600V CoolMOS PFD7 super junction MOSFET complements the CoolMOS 7 offering for consumer applications. The CoolMOS PFD7 super junction MOSFET in a ThinPAK 5x6 package features RDS(on) of 360mOhm leading to low switching losses. This package is characterized by a very small footprint of 5x6mm² and a very low profile with a height of 1mm. Together with its benchmark low parasitic, these features lead to significantly smaller form factors and help to boost power density. The CoolMOS PFD7 products come with a fast body diode ensuring a robust device and in turn reduced bill-of-material for the customer.
Integrated robust fast body diode
Up to 2kV ESD protection
Excellent commutation ruggedness
Low EMI
BOM cost reduction and easy manufacturing
Robustness and reliability
Easy to select the right parts for design fine-tuning
Liens connexes
- Infineon IPL Type N-Channel MOSFET 650 V N TDSON
- Infineon IPL MOSFET 650 V TDSON
- Infineon IPL MOSFET 650 V TDSON IPLK60R600PFD7ATMA1
- Infineon IPL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK 8x8
- Infineon IPL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK 8x8
- Infineon IPL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK 8x8
- Infineon IPL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK 8x8 IPL65R160CFD7AUMA1
- Infineon IPL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK 8x8 IPL65R095CFD7AUMA1