Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 67 A, 100 V P, 3-Pin TO-252 IPD12CN10NGATMA1

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258-3835
Référence fabricant:
IPD12CN10NGATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

67A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-252

Series

IPD

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

12.4mΩ

Channel Mode

P

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Forward Voltage Vf

1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

49nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and FOM

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