Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 67 A, 100 V P, 3-Pin TO-252

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

1 330,00 €

(TVA exclue)

1 610,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 12 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +0,532 €1 330,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
258-3834
Référence fabricant:
IPD12CN10NGATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

67A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-252

Series

IPD

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

12.4mΩ

Channel Mode

P

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Forward Voltage Vf

1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

49nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and FOM

Excellent switching performance

World’s lowest R DS(on)

Environmentally friendly

Increased efficiency

Highest power density

Liens connexes