Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 211 A, 650 V N TO-263

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*

3 178,00 €

(TVA exclue)

3 845,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 25 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
1000 +3,178 €3 178,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
258-3826
Référence fabricant:
IPBE65R050CFD7AATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

211A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

iPB

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

40.7mΩ

Channel Mode

N

Forward Voltage Vf

1.2V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon CoolMOS C3A technology was designed to meet the growing demands of higher system voltages in the area of electric vehicles, such as PHEVs and BEV.

Best-in-class quality and reliability

Higher breakdown voltage

High peak current capability


Liens connexes