Références fabricant

Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V N TO-263

N° de stock RS:: 258-3808
Référence fabricant:: IPB60R299CPAATMA1
Fabricant:: Infineon

Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V N TO-263

Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*

1 482,00 €

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1 793,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
1000 +	1,482 €	1 482,00 €

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N° de stock RS:: 258-3808
Référence fabricant:: IPB60R299CPAATMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	11A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-263
	Series	iPB
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	40.7mΩ
	Channel Mode	N
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 11A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-263
	Series iPB
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 40.7mΩ
	Channel Mode N
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IPB60R299CPAATMA1

The Infineon CoolMOS power transistor is high peak current capability, its automotive AEC Q101 qualified.

Ultra low gate charge

Extreme dv/dt rated

Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V N TO-263

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