Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V N TO-263

Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*

1 482,00 €

(TVA exclue)

1 793,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Commandes ci-dessous 75,00 € coût (TVA exclue) 5,95 €.
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 15 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
1000 +1,482 €1 482,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
258-3808
Référence fabricant:
IPB60R299CPAATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

11A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

iPB

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

40.7mΩ

Channel Mode

N

Forward Voltage Vf

1.2V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon CoolMOS power transistor is high peak current capability, its automotive AEC Q101 qualified.

Ultra low gate charge

Extreme dv/dt rated

Liens connexes