Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 20 V TO-252 IRLR6225TRPBF
- N° de stock RS:
- 257-9462
- Référence fabricant:
- IRLR6225TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
5,11 €
(TVA exclue)
6,185 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Dernier stock RS
- 130 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,022 € | 5,11 € |
| 50 - 120 | 0,91 € | 4,55 € |
| 125 - 245 | 0,848 € | 4,24 € |
| 250 - 495 | 0,562 € | 2,81 € |
| 500 + | 0,37 € | 1,85 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 257-9462
- Référence fabricant:
- IRLR6225TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 48nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 63W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 48nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 63W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRLR series is the 20V single n channel HEXFET power mosfet in a D-Pak package.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Industry standard surface mount power package
Capable of being wave soldered
Liens connexes
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 20 V DPAK IRLR6225TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 A DPAK IRFR120NTRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V DPAK IRFR3410TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V DPAK IRLR120NTRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V DPAK IRFR3910TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V DPAK IRLR3110ZTRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V DPAK IRLR3110ZTRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin DPAK IRFR120NTRLPBF
